VS-8EWF02STRR-M3
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8EWF02STRR-M3
| Artikelnummer: | VS-8EWF02STRR-M3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 200V 8A D-PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 3000+ | $2.016 |
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- Spezifikationen
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- Versandinformationen
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8EWF02STRR-M3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments VS-8EWF02STRR-M3.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.2 V @ 8 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 200 V Technologie Standard Supplier Device-Gehäuse D-PAK (TO-252AA) Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Serie - Rückwärts-Erholzeit (Trr) 55 ns Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur - Anschluss -40°C ~ 150°C Befestigungsart Surface Mount Strom - Sperrleckstrom @ Vr 100 µA @ 200 V Strom - Richt (Io) 8A Kapazität @ Vr, F - Grundproduktnummer 8EWF02 VS-8EWF02STRR-M3 Einzelheiten PDF [English] VS-8EWF02STRR-M3 PDF - EN.pdf -
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